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產(chǎn)品中心CMOS 相機制冷CMOS長曝光制冷CMOS相機 FL 9BW
產(chǎn)品簡介
長曝光制冷CMOS相機 FL 9BW15.96 mm (1“)3000 (H) × 3000 (V)3.76 μm x 3.76 μm< 0.0005 e-/p/s-25℃ @ 22℃
| 品牌 | 鑫圖 | 型號: | FL 9BW |
|---|---|---|---|
| 芯片類型: | BSI CMOS | 芯片型號: | SONY IMX533CLK-D |
| 彩色 / 黑白: | 黑白 | 對角線尺寸: | 15.96 mm (1 |
| 有效面積: | 11.28 mm × 11.28 mm | 像素大小: | 3.76 μm × 3.76 μm |
| 分辨率: | 3000 x 3000, 9 MP | 峰值量子效率: | 92 % @ 530 nm |
| 暗電流: | < 0.0005 e-/p/s | 增益模式: | Gain 0；Gain 1；Gain 2；Gain 3； |
| 滿阱容量: | 47 ke- @ Gain 0； 16 ke- @ Gain 1； 7.8 ke- @ Gain 2 | 讀出噪聲: | 2.5 e- @ Gain 0，1.0 e- @ Gain 1，0.85 e- @ Gain 2；0 |
| 幀率: | 19 fps @ Standard Mode，12 fps @ Low Noise Mode | 快門類型: | 卷簾 |
| 曝光時間: | 15 μs ~ 60 min | 圖像校正: | DDFC，DPC |
| ROI: | 支持 | Binning: | 2 x 2，3 x 3，4 x 4，6 x 6，8 x 8 |
| 制冷方式: | 風(fēng)冷 | 制冷溫度: | -25 ℃ @ 室溫（22℃） |
| 觸發(fā)模式: | 硬件，軟件 | 觸發(fā)輸出: | 曝光開始，全局，讀出結(jié)束，高電平，低電平 |
| 觸發(fā)接口: | Horise | SDK: | C，C++，C# |
| 數(shù)據(jù)接口: | USB 3.0 | 光學(xué)接口: | C-Mount，支持定制 |
| 位深: | 14 bit @ bin1；FPGA bining 自動擴展到 16 bit | 電源: | 12 V / 6 A |
| 功耗: | ≤ 40 W | 相機尺寸: | 76 mm x 76 mm x 98.5 mm |
| 重量: | 835 g | 操作系統(tǒng): | Windows / Linux |
| 操作環(huán)境: | 工作：溫度 0~40 °C, 濕度 10~85 %，儲存：溫度 -10~60 ℃, 濕度 0~85 |
長曝光制冷CMOS相機 FL 9BW 是鑫圖針對長曝光應(yīng)用開發(fā)的新一代深度制冷CMOS相機。它采用索尼新一代的背照式CMOS芯片技術(shù)和鑫圖先進(jìn)制冷密封工藝、圖像降噪技術(shù)聯(lián)合打造，不僅長曝光關(guān)鍵性能達(dá)到了深度制冷CCD的水平，還同時具有現(xiàn)代CMOS高靈敏度、高速、高動態(tài)等性能特征，可以很好的替代制冷CCD長曝光應(yīng)用。
FL 9BW暗電流已低至0.0005 e-/p/s, 制冷深度可達(dá)-25℃，關(guān)鍵性能達(dá)到了深度制冷CCD相當(dāng)?shù)乃?。在~10分鐘長曝光的條件下，F(xiàn)L 9BW仍能獲取高信噪比(SNR)的圖像，且在正常曝光時間內(nèi) (60分鐘)，信噪比都優(yōu)于695 CCD。
FL 9BW同時集成了索尼芯片優(yōu)異的輝光抑制能力和鑫圖先進(jìn)圖像降噪處理技術(shù)，基本杜絕了邊角亮光、壞點像素等不良制程因素對正常信號的干擾，成像背景均一，更適合定量分析應(yīng)用。
FL 9BW采用索尼新一代背照式科學(xué)級CMOS芯片，不僅長曝光性能和CCD相當(dāng)，峰值量子效率高達(dá)92%，讀出噪聲僅0.9 e-，弱光成像能力碾壓CCD，動態(tài)范圍更是傳統(tǒng)CCD的4倍以上，綜合成像性能十分*。
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